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- Artikel-Nr.: PCS6815241
- Hersteller : TRANSCEND
- Hersteller Nr. : TS512GMTE652T2
- EAN : 0760557848615
Transcends MTE652T2 M.2 SSD verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist... mehr
Transcend MTE652T2, 512 GB, 2.5", 2100 MB/s
Produktinformationen "TRANSCEND MTE652T2 512GB TS512GMTE652T2"
Transcend MTE652T2 - SSD - 512 GB - intern - M.2 2280 (doppelseitig) - PCIe 3.1 x4 (NVMe)
Transcends MTE652T2 M.2 SSD verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist kompatibel mit den NVM Express (NVMe) 1.3-Spezifikationen, wodurch sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeiten erreicht werden. Die MTE652T2 verfügt über die 3D-NAND-Technologie für eine hohe Speichereffizienz, 30µ" PCB-Goldkontakte und die Corner-Bond-Technologie für eine lange Haltbarkeit, einen DRAM-Cache für schnellen Zugriff, einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -20 °C bis 75 °C und eine Haltbarkeit von 3K Schreib-/Lösch-Zyklen für zuverlässigen Betrieb.
Transcend MTE652T2. SSD Speicherkapazität: 512 GB, SSD-Formfaktor: 2.5", Lesegeschwindigkeit: 2100 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 1000 MB/s, Komponente für: PC
Transcends MTE652T2 M.2 SSD verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist kompatibel mit den NVM Express (NVMe) 1.3-Spezifikationen, wodurch sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeiten erreicht werden. Die MTE652T2 verfügt über die 3D-NAND-Technologie für eine hohe Speichereffizienz, 30µ" PCB-Goldkontakte und die Corner-Bond-Technologie für eine lange Haltbarkeit, einen DRAM-Cache für schnellen Zugriff, einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -20 °C bis 75 °C und eine Haltbarkeit von 3K Schreib-/Lösch-Zyklen für zuverlässigen Betrieb.
Transcend MTE652T2. SSD Speicherkapazität: 512 GB, SSD-Formfaktor: 2.5", Lesegeschwindigkeit: 2100 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 1000 MB/s, Komponente für: PC
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 512 GB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 (doppelseitig) |
| Schnittstelle | PCIe 3.1 x4 (NVMe) |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Wear Leveling Support, thermal sensor, DRAM-Cache, Bad Block Management, SLC-Cache, ECC Recovery LDPC, NVM Express (NVMe) 1.3, 3D NAND-Technologie mit 96 Layern, dynamisch-thermische Drosselung, Corner Bond-Technologie, PCB Goldfinger |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 3.58 mm |
| Gewicht | 9 g |
| Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 2 |
| Interner Datendurchsatz | 2100 MBps (lesen)/ 1000 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 290000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 190000 IOPS |
| MTBF | 3,000,000 Stunden |
| Schnittstellen | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 (doppelseitig) |
| Energieverbrauch | 3.3 Watt (aktiv) ¦ 0.6 Watt (Sleep-Modus) |
| Kennzeichnung | BSMI, FCC, RoHS2 |
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 3 Jahre |
| Min Betriebstemperatur | -20 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 75 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95% |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (in Betrieb) | 20 g @ 7-2000 Hz |
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