SAMSUNG M386AAG40DM3-CWE 128GB M386AAG40DM3-CWE

SAMSUNG SAMSUNG M386AAG40DM3-CWE 128GB
SAMSUNG M386AAG40DM3-CWE 128GB
SAMSUNG M386AAG40DM3-CWE
     
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Das Speichermodul Samsung M386AAG40DM3-CWE bietet mit seiner Speicherkapazität von 128 GB eine... mehr

Samsung M386AAG40DM3-CWE, 128 GB, 1 x 128 GB, DDR4, 3200 MHz, 288-pin DIMM

Produktinformationen "SAMSUNG M386AAG40DM3-CWE 128GB M386AAG40DM3-CWE"
Samsung - DDR4 - Modul - 128 GB - LRDIMM 288-polig - 1600 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC

Das Speichermodul Samsung M386AAG40DM3-CWE bietet mit seiner Speicherkapazität von 128 GB eine Lösung zur Steigerung der Systemleistung. Dieses Speichermodul wurde mit DDR4-SDRAM-Technologie entwickelt und arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 1600 MHz, wodurch eine schnelle Datenübertragung und effizientes Multitasking gewährleistet sind. Es verfügt über eine Quad-Rank-Konfiguration, die Leistung in anspruchsvollen Anwendungen ermöglicht, während die ECC-Datenintegritätsprüfung eine zuverlässige Datenverarbeitung gewährleistet. Der geringe Stromverbrauch von 1,2 V trägt zur Energieeffizienz bei und macht es zu einer guten Wahl für moderne Computeranforderungen. Mit einem Formfaktor von LRDIMM 288-Pin und der Konformität mit der Speicherspezifikation PC4-25600 ist dieses Modul für die Anforderungen verschiedener professioneller und unternehmerischer Umgebungen ausgelegt. Sein lastreduziertes Design ermöglicht eine höhere Speicherdichte und eignet sich daher für Hochleistungsserver und Workstations. Rüsten Sie mit dem Samsung Speichermodul auf und profitieren Sie von einer deutlichen Verbesserung der Rechenleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz.
Samsung M386AAG40DM3-CWE. Komponente für: Server, Speicherkapazität: 128 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 128 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, ECC
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Kapazität128 GB
ErweiterungstypGenerisch
TypDRAM Speichermodul
TechnologieDDR4 SDRAM
FormfaktorLRDIMM 288-polig
Geschwindigkeit1600 MHz (PC4-25600)
DatenintegritätsprüfungECC
BesonderheitenQuad Rank, Load-Reduced
Chip-Organisation8192 x 4
Spannung1.2 V

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