SAMSUNG M425R4GA3BB0-CWM 32GB M425R4GA3BB0-CWM

SAMSUNG SAMSUNG M425R4GA3BB0-CWM 32GB
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SAMSUNG M425R4GA3BB0-CWM
     
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Das Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein Speichermodul, das Ihr Computererlebnis verbessern soll. Mit... mehr

Samsung M425R4GA3BB0-CWM, 32 GB, 2 x 16 GB, DDR5, 5600 MHz, 262-pin SO-DIMM

Produktinformationen "SAMSUNG M425R4GA3BB0-CWM 32GB M425R4GA3BB0-CWM"
Samsung - DDR5 - Modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ungepuffert - on-die ECC

Das Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein Speichermodul, das Ihr Computererlebnis verbessern soll. Mit einer Speicherkapazität von 32 GB und einer Speichergeschwindigkeit von 2800 MHz ist dieses DRAM-Modul ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Szenarien. Seine DDR5-SDRAM-Technologie sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung, während die On-Die-ECC-Datenintegritätsprüfung Zuverlässigkeit und Stabilität für kritische Arbeitslasten bietet. Dieses SO-DIMM-Speichermodul verfügt über eine Dual-Rank-Organisation und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V, wodurch es energieeffizient ist und gleichzeitig die Leistung beibehält. Sein ungepuffertes Design ermöglicht eine einfache Integration in kompatible Systeme und ermöglicht es Benutzern, ihre Geräte aufzurüsten. Ob für Spiele, die Erstellung von Inhalten oder den allgemeinen Gebrauch ? das Samsung M425R4GA3BB0-CWM-Speichermodul bietet die Geschwindigkeit und Kapazität, um verschiedene Anforderungen effizient zu erfüllen.
Samsung M425R4GA3BB0-CWM. Komponente für: PC, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 5600 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 46
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Kapazität32 GB
ErweiterungstypGenerisch
TypDRAM Speichermodul
TechnologieDDR5 SDRAM
FormfaktorSO DIMM 262-PIN
Geschwindigkeit2800 MHz (PC5-44800)
DatenintegritätsprüfungOn-die ECC
BesonderheitenDual Rank, ungepuffert
Chip-Organisation2048 x 8
Spannung1.1 V

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