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- Artikel-Nr.: PCS7021873
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZ1L23T8HBLA-00A07
- EAN : 8592978395070
Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf... mehr
Produktinformationen "SAMSUNG PM9A3 3,84TB MZ1L23T8HBLA-00A07"
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - verschlüsselt - 3.84 TB - intern - M.2 22110 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.0
Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet. Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist. Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet. Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist. Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 3.84 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS |
| NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor | M.2 22110 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Merkmale | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 110 mm |
| Höhe | 3.8 mm |
| Gewicht | 20 g |
| Interner Datendurchsatz | 5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 800000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 85000 IOPS |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 22110 |
| Energieverbrauch | 8.2 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf) |
| Kennzeichnung | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz |
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