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- Artikel-Nr.: PCS7113948
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZ1L21T9HCLS-00A07
- EAN : 4260580377480
Produktinformationen "SAMSUNG PM9A3 1,92TB MZ1L21T9HCLS-00A07"
Samsung PM9A3 MZ1L21T9HCLS - SSD - verschlüsselt - 1.92 TB - intern - M.2 22110 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.0
Gerätetyp: Solid State Drive - intern,Kapazität: 1.92 TB,Hardwareverschlüsselung: Ja,Verschlüsselungsalgorithmus: 256-bit AES-XTS,NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC),Formfaktor: M.2 22110,Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe),Byte pro Sektor: 512,Merkmale: V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller,Breite: 22 mm,Tiefe: 110 mm,Höhe: 3.8 mm,Gewicht: 20 g,Interner Datendurchsatz: 5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben),4 KB Random Read: 800000 IOPS,4 KB Random Write: 85000 IOPS,MTBF: 2,000,000 Stunden,Nicht-korrigierbare Datenfehler: 1 pro 10^17,Schnittstellen: PCI Express 4.0 x4 (NVMe),Kompatibles Schaltfeld: M.2 22110,Energieverbrauch: 8 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf),Kennzeichnung: TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM,Min Betriebstemperatur: 0 °C,Max. Betriebstemperatur: 70 °C,Min. Lagertemperatur: -40 °C,Max. Lagertemperatur: 85 °C,Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb: 5 - 95 % (nicht kondensierend),Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g,Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 10-2000 Hz
Gerätetyp: Solid State Drive - intern,Kapazität: 1.92 TB,Hardwareverschlüsselung: Ja,Verschlüsselungsalgorithmus: 256-bit AES-XTS,NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC),Formfaktor: M.2 22110,Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe),Byte pro Sektor: 512,Merkmale: V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller,Breite: 22 mm,Tiefe: 110 mm,Höhe: 3.8 mm,Gewicht: 20 g,Interner Datendurchsatz: 5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben),4 KB Random Read: 800000 IOPS,4 KB Random Write: 85000 IOPS,MTBF: 2,000,000 Stunden,Nicht-korrigierbare Datenfehler: 1 pro 10^17,Schnittstellen: PCI Express 4.0 x4 (NVMe),Kompatibles Schaltfeld: M.2 22110,Energieverbrauch: 8 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf),Kennzeichnung: TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM,Min Betriebstemperatur: 0 °C,Max. Betriebstemperatur: 70 °C,Min. Lagertemperatur: -40 °C,Max. Lagertemperatur: 85 °C,Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb: 5 - 95 % (nicht kondensierend),Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g,Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 10-2000 Hz
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 1.92 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS |
| NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor | M.2 22110 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Merkmale | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 110 mm |
| Höhe | 3.8 mm |
| Gewicht | 20 g |
| Interner Datendurchsatz | 5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 800000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 85000 IOPS |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 22110 |
| Energieverbrauch | 8 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf) |
| Kennzeichnung | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz |
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