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- Artikel-Nr.: PCS9523906
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZTL21T9HCJR-00A07
Produktinformationen "SAMSUNG MZTL21T9HCJR-00A07 1,9TB MZTL21T9HCJR-00A07"
Samsung PM9A3 MZTL21T9HCJR - SSD - verschlüsselt - 1.92 TB - intern - E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm) - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.01
Gerätetyp: Solid State Drive - intern,Kapazität: 1.92 TB,Hardwareverschlüsselung: Ja,Verschlüsselungsalgorithmus: 256-bit AES-XTS,NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC),Formfaktor: E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm),Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe),Byte pro Sektor: 512,Merkmale: V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller,Breite: 33.75 mm,Tiefe: 118.75 mm,Höhe: 9.5 mm,Gewicht: 80 g,Interner Datendurchsatz: 6800 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben),4 KB Random Read: 850000 IOPS,4 KB Random Write: 130000 IOPS,MTBF: 2,000,000 Stunden,Nicht-korrigierbare Datenfehler: 1 pro 10^17,Schnittstellen: PCI Express 4.0 x4 (NVMe),Kompatibles Schaltfeld: E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm),Energieverbrauch: 10 Watt (Lesen) ¦ 12.5 Watt (Schreiben) ¦ 3.5 Watt (Leerlauf),Kennzeichnung: RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, halogenfrei,Min Betriebstemperatur: 0 °C,Max. Betriebstemperatur: 70 °C,Min. Lagertemperatur: -40 °C,Max. Lagertemperatur: 85 °C,Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb: 5 - 95 % (nicht kondensierend),Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g,Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 10-2000 Hz
Gerätetyp: Solid State Drive - intern,Kapazität: 1.92 TB,Hardwareverschlüsselung: Ja,Verschlüsselungsalgorithmus: 256-bit AES-XTS,NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC),Formfaktor: E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm),Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe),Byte pro Sektor: 512,Merkmale: V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller,Breite: 33.75 mm,Tiefe: 118.75 mm,Höhe: 9.5 mm,Gewicht: 80 g,Interner Datendurchsatz: 6800 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben),4 KB Random Read: 850000 IOPS,4 KB Random Write: 130000 IOPS,MTBF: 2,000,000 Stunden,Nicht-korrigierbare Datenfehler: 1 pro 10^17,Schnittstellen: PCI Express 4.0 x4 (NVMe),Kompatibles Schaltfeld: E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm),Energieverbrauch: 10 Watt (Lesen) ¦ 12.5 Watt (Schreiben) ¦ 3.5 Watt (Leerlauf),Kennzeichnung: RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, halogenfrei,Min Betriebstemperatur: 0 °C,Max. Betriebstemperatur: 70 °C,Min. Lagertemperatur: -40 °C,Max. Lagertemperatur: 85 °C,Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb: 5 - 95 % (nicht kondensierend),Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g,Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 10-2000 Hz
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