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- Artikel-Nr.: PCS5523499
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZ-V7S500BW
- EAN : 8801643628116
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970... mehr
Samsung 970 EVO Plus, 500 GB, M.2, 3500 MB/s
Produktinformationen "SAMSUNG 970 EVO Plus 500GB MZ-V7S500BW"
Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - SSD - verschlüsselt - 500 GB - intern - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - Puffer: 512 MB - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
Samsung 970 EVO Plus. SSD Speicherkapazität: 500 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 3500 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 3300 MB/s, Komponente für: PC
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
Samsung 970 EVO Plus. SSD Speicherkapazität: 500 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 3500 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 3300 MB/s, Komponente für: PC
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
| Puffergröße | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. |
| Breite | 22.15 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Gewicht | 8 g |
| SSD-Leistung | 300 TB |
| Interner Datendurchsatz | 3500 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 19000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 60000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Write | 550000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 480000 IOPS |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Schnittstellen | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 5.8 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum) |
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |
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