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- Artikel-Nr.: PCS8891103
- Hersteller : KIOXIA
- Hersteller Nr. : KXG80ZNV2T04
- EAN : 8592978445478
Die XG8-Serie verwendet KIOXIA 112-Layer, 3D TLC (3-bit-per-cell) Flash-Speicher. Mit BiCS FLASH... mehr
Kioxia XG8, 2,05 TB, M.2, 7000 MB/s
Produktinformationen "KIOXIA KXG80ZNV2T04 2TB KXG80ZNV2T04"
KIOXIA XG8 Series KXG80ZNV2T04 - SSD - verschlüsselt - 2048 GB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - Self-Encrypting Drive (SED)
Die XG8-Serie verwendet KIOXIA 112-Layer, 3D TLC (3-bit-per-cell) Flash-Speicher. Mit BiCS FLASH der 5. Generation und SLC-Cache-Funktionen erreichen die XG8-SSDs sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.000 MB/s bzw. 5.800 MB/s und liefern bis zu 900K zufällige Lese- und 620K zufällige Schreib-IOPS. Der Stromverbrauch der XG8-Serie beträgt 8,1 W oder weniger im aktiven Modus und weniger als 3 mW im Standby-Modus. Die XG8-Serie ist für stromsparende mobile PCs, leistungsorientierte Spiele-PCs sowie für Rechenzentrumsumgebungen für Server-Boot, Caching und Logging optimiert.
Kioxia XG8. SSD Speicherkapazität: 2,05 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 5800 MB/s, Komponente für: PC/Laptop
Die XG8-Serie verwendet KIOXIA 112-Layer, 3D TLC (3-bit-per-cell) Flash-Speicher. Mit BiCS FLASH der 5. Generation und SLC-Cache-Funktionen erreichen die XG8-SSDs sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.000 MB/s bzw. 5.800 MB/s und liefern bis zu 900K zufällige Lese- und 620K zufällige Schreib-IOPS. Der Stromverbrauch der XG8-Serie beträgt 8,1 W oder weniger im aktiven Modus und weniger als 3 mW im Standby-Modus. Die XG8-Serie ist für stromsparende mobile PCs, leistungsorientierte Spiele-PCs sowie für Rechenzentrumsumgebungen für Server-Boot, Caching und Logging optimiert.
Kioxia XG8. SSD Speicherkapazität: 2,05 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 5800 MB/s, Komponente für: PC/Laptop
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 2048 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | 112-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.4 |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 2.23 mm |
| Gewicht | 7.1 g |
| Interner Datendurchsatz | 7000 MBps (lesen)/ 5800 MBps (Schreiben) |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Schnittstellen | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 7.7 Watt (aktiv) ¦ 3 mW (Leerlauf) |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 95 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 0 - 95% RH |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
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