SAMSUNG 990 PRO Heatsink NVMe? M.2 SSD - 4 TB MZ-V9P4T0CW

SAMSUNG SAMSUNG 990 PRO Heatsink NVMe? M.2 SSD - 4 TB
SAMSUNG 990 PRO Heatsink NVMe? M.2 SSD - 4 TB
SAMSUNG MZ-V9P4T0CW
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Festplatten Flash SSD MZ-V9P4T0CW
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Samsung 990 Pro, 4 TB, M.2, 7450 MB/s

Produktinformationen "SAMSUNG 990 PRO Heatsink NVMe? M.2 SSD - 4 TB MZ-V9P4T0CW"
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption - integrierter Kühlkörper

Entdecken Sie die Samsung 990 PRO, ein Solid-State-Laufwerk, das mit seiner Kapazität von 4 TB und fortschrittlichen Funktionen, die für Effizienz und Sicherheit entwickelt wurden, den Speicher neu definiert. Entwickelt mit der Samsung V-NAND 3bit MLC-Technologie, bietet diese interne Festplatte außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit und ist damit die ideale Wahl für Profis und Enthusiasten gleichermaßen. Die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während der integrierte Kühlkörper das Gerät auch bei starker Beanspruchung kühl hält. Mit Unterstützung für TRIM, Garbage Collection-Technologie und Device Sleep Mode bietet es eine Mischung aus Leistung und Energieeffizienz. Sicherheit ist oberstes Gebot: 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption sorgen für ein sicheres Gefühl. Ob Sie nun spielen, an großen Projekten arbeiten oder einfach nur einen zuverlässigen Speicher benötigen, der Samsung 990 PRO ist der Aufgabe gewachsen.
Samsung 990 Pro. SSD Speicherkapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole
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GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität4 TB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)
Integrierter KühlkörperJa
FormfaktorM.2 2280
SchnittstellePCIe 4.0 x4 (NVMe)
MerkmaleSamsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite24.3 mm
Tiefe80 mm
Höhe8.2 mm
Gewicht28 g
Interner Datendurchsatz7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read1600000 IOPS
MTBF1,500,000 Stunden
SchnittstellenPCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles SchaltfeldM.2 2280
Energieverbrauch5.5 Watt (Durchschnitt) ¦ 55 mW (Leerlauf)
Software inbegriffenSamsung Magician Software
KennzeichnungIEEE 1667
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g

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