SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB MZ-V9S2T0BW

SAMSUNG SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB
SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB
SAMSUNG MZ-V9S2T0BW
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Festplatten Flash SSD MZ-V9S2T0BW
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Die Samsung 990 EVO Plus ist ein leistungsstarkes internes Solid State-Laufwerk, das mit einer... mehr

Samsung 990 EVO Plus NVMe? M.2 SSD - 2 TB, 2 TB, M.2, 7150 MB/s

Produktinformationen "SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB MZ-V9S2T0BW"
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0

Die Samsung 990 EVO Plus ist ein leistungsstarkes internes Solid State-Laufwerk, das mit einer Kapazität von 2 TB die Speicherleistung erhöht. Ausgestattet mit der Samsung V-NAND TLC-Technologie gewährleistet dieses Laufwerk eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung mit einer internen Datenrate von 7250 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 6300 MB/s, was einen nahtlosen Betrieb für anspruchsvolle Anwendungen und die Verwaltung großer Dateien ermöglicht. Mit der Unterstützung von PCI Express 4.0- und 5.0-Schnittstellen erfüllt es verschiedene Systemanforderungen und bietet gleichzeitig Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Mit fortschrittlichen Funktionen wie der Intelligent TurboWrite Technology und einem Auto Garbage Collection Algorithmus sorgt die Samsung 990 EVO Plus auch bei hoher Arbeitsbelastung für Effizienz und Haltbarkeit. Mit einer Stoß- und Vibrationsfestigkeit von bis zu 1500 g und einem Temperaturbereich von -40°C bis 85°C ist sie sowohl für private als auch für professionelle Umgebungen geeignet. Diese SSD gewährleistet einen schnellen Datenzugriff und bietet eine Hardwareverschlüsselung für verbesserte Sicherheit, was sie zu einer idealen Wahl für Benutzer macht, die die Systemleistung verbessern möchten.
Samsung 990 EVO Plus NVMe? M.2 SSD - 2 TB. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC
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GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität2 TB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)
FormfaktorM.2 2280
SchnittstellePCIe 5.0 x2 (NVMe)
MerkmaleIntelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite22.15 mm
Tiefe80.15 mm
Höhe2.38 mm
Gewicht9 g
Interner Datendurchsatz7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read1000000 IOPS
MTBF1.500.000 Stunden
Kompatibles SchaltfeldM.2 2280
Energieverbrauch4.6 Watt (Lesen) ¦ 4.2 Watt (Schreiben) ¦ 60 mW (Standby) ¦ 5 mW (Sleep-Modus)
Software inbegriffenSamsung Magician Software
GehäusematerialNickelbeschichtung
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)20 g @ 20-2000 Hz

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