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- Artikel-Nr.: PCS8741722
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZ-V9E2T0BW
- EAN : 8806095300269
Samsung 990 EVO, 2 TB, M.2, 5000 MB/s
Produktinformationen "SAMSUNG 990 EVO NVMe? M.2 SSD ? 2 TB MZ-V9E2T0BW"
Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0
Samsung 990 EVO. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s, Komponente für: Universal
Samsung 990 EVO. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s, Komponente für: Universal
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 2 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Gewicht | 9 g |
| Interner Datendurchsatz | 5000 MBps (lesen)/ 4200 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 22000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 90000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Write | 800000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 700000 IOPS |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 5.4 Watt (Lesen) ¦ 4.7 Watt (Schreiben) |
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software |
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Verpackungsdetails | Box |
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
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