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- Artikel-Nr.: PCS2771560
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : MZ-75E250B/EU
- EAN : 8806086522977
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die... mehr
Samsung 850 EVO, 250 GB, 2.5", 540 MB/s, 6 Gbit/s
Produktinformationen "SAMSUNG 850 EVO Basic 250GB MZ-75E250B/EU"
Samsung 850 EVO MZ-75E250 - SSD - verschlüsselt - 250 GB - intern - 2.5" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s - Puffer: 512 MB - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
Samsung 850 EVO. SSD Speicherkapazität: 250 GB, SSD-Formfaktor: 2.5", Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 520 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
Samsung 850 EVO. SSD Speicherkapazität: 250 GB, SSD-Formfaktor: 2.5", Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 520 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s
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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 250 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Formfaktor | 2.5"" (6.4 cm) |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Puffergröße | 512 MB |
| Merkmale | Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DRAM-Cache, DevSleep-Modus, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 |
| Breite | 69.85 mm |
| Tiefe | 100 mm |
| Höhe | 6.8 mm |
| Gewicht | 40 g |
| SSD-Leistung | 75 TB |
| Übertragungsrate Laufwerk | 600 MBps (extern) |
| Interner Datendurchsatz | 540 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 97000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 88000 IOPS |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Schnittstellen | 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA |
| Kompatibles Schaltfeld | 2.5"" (6.4 cm) |
| Energieverbrauch | 2.4 Watt (aktiv) ¦ 50 mW (Leerlauf) ¦ 2 mW (Sleep-Modus) |
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software, Samsung Data Migration |
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
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